賦能中國芯：天躍無氰電鍍金工藝，如何搞定高端晶圓的“微米級”挑戰(zhàn)？

隨著摩爾定律趨緩，以Chiplet（芯粒）和3D堆疊為代表的先進(jìn)封裝技術(shù)，已成為延續(xù)芯片算力增長的關(guān)鍵路徑。然而，從2D平面到3D立體的結(jié)構(gòu)演進(jìn)，對晶圓級電鍍工藝提出了前所未有的挑戰(zhàn)。

面對更密集的I/O互連與更復(fù)雜的散熱需求，傳統(tǒng)的電鍍金工藝已成瓶頸。國產(chǎn)新型無氰電鍍技術(shù)憑借在“厚膜沉積”與“深孔填鍍”上的突破，正在成為高端制程不可或缺的材料拼圖。

在AI芯片和高性能計算（HPC）的驅(qū)動下，封裝形式正從傳統(tǒng)的Wire Bonding向Flip Chip（倒裝）乃至更高端的CoWoS、HBM（高帶寬內(nèi)存）演進(jìn)。

這給電鍍工藝帶來了三重極致挑戰(zhàn)：

1. 更厚： 為了支撐3D堆疊的散熱和應(yīng)力緩沖，RDL（重布線層）和UBM（凸塊下金屬層）的金層厚度往往需要突破 10μm。

2. 更細(xì)： 凸塊間距（Pitch）縮小至微米級，要求鍍層晶格必須極其細(xì)膩，不能有任何側(cè)蝕或短路風(fēng)險。

3. 更深： TSV硅通孔的深寬比越來越大，藥水必須具備極強(qiáng)的深鍍能力。

傳統(tǒng)的氰化體系或普通無氰藥水，在面對這種“又厚、又細(xì)、又深”的結(jié)構(gòu)時，往往顧此失彼——要么鍍不厚，要么厚了就粗糙發(fā)黑，導(dǎo)致良率雪崩。

行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，高端封測廠（OSAT）在導(dǎo)入先進(jìn)封裝產(chǎn)線時，對材料的容錯率幾乎為零。

如果電鍍液的均鍍能力（TP值）*不夠，TSV孔內(nèi)就會出現(xiàn)空洞（Void），導(dǎo)致芯片在高溫工作時斷路；如果金層*內(nèi)應(yīng)力過大，在3D堆疊的鍵合過程中，脆弱的晶圓就會發(fā)生翹曲甚至碎裂。

可以說，在微納米級的戰(zhàn)場上，落后的電鍍工藝，就是高端訂單的“勸退書”。

面對后摩爾時代的工藝變革，天躍新材料提前布局，將CT-288無氰晶圓電鍍金工藝打造成了適配先進(jìn)封裝的“全能戰(zhàn)士”。

該工藝在高端制程中展現(xiàn)了極強(qiáng)的適配性：

1. 完美適配微凸塊（Micro-bumps）： 能夠穩(wěn)定實現(xiàn) 10μm以上 的超厚金電鍍，且表面平整度（Roughness）控制在納米級別，完美解決3D堆疊中的高度一致性（Coplanarity）問題。

2. 深孔填鍍能力： 針對高難度TSV結(jié)構(gòu)，藥水展現(xiàn)出優(yōu)異的潤濕與交換性能，確保深孔底部無氣泡、無漏鍍。

3. 兼容性強(qiáng)： 無論是硅基、玻璃基板還是碳化硅襯底，CT-288均能提供優(yōu)異的結(jié)合力，為多材質(zhì)異構(gòu)集成（Heterogeneous Integration）提供保障。

未來的芯片競爭，不僅是設(shè)計的競爭，更是制造工藝的競爭。

當(dāng)Chiplet成為時代的必選項，天躍CT-288就是那把開啟高端制造大門的鑰匙。它不只是一桶藥水，更是幫助中國封測企業(yè)突破摩爾定律限制、搶占高端市場的核心生產(chǎn)力。